MTD1N80E |
RFQ for MTD1N80E |
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| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| MTD1N80E | - | TO-252 | 01+ |
Features |
| • Robust High Voltage Termination• Avalanche Energy Specified• SourcetoDrain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature• Surface Mount Package Available in 16 mm, 13inch/2500 Unit Tape & Reel, Add T4 Suffix to Part Number |
| Rating |
Symbol |
Value |
Unit | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DraintoSource Voltage |
VDSS |
800 |
Vdc | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DraintoGate Voltage (RGS = 1.0 M) |
VDGR |
800 |
Vdc | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GatetoSource Voltage - Continuous GatetoSource Voltage - Nonrepetitive (tp 10 ms) |
VGS VGSM |
± 20 ± 40 |
Vdc Vpk | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Drain Current - Continuous - Continuous @ 100°C - Single Pulse (tp 10 s) |
ID ID IDM |
1.0 0.8 3.0 |
Adc Apk | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Total Power Dissipation @ 25°C Derate above 25°C Total Power Dissipation @ TA = 25°C, when mounted to minimum recommended pad size |
PD |
48 0.38 1.75 |
Watts W/°C Watts | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Operating and Storage Temperature Range |
TJ, Tstg |
55 to 150 |
°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Single Pulse DraintoSource Avalanche Energy - STARTING TJ = 25°C (VDD = 100 Vdc, VGS = 10 Vdc, PEAK IL =2.0Apk, L = 10mH, RG = 25) |
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